MEMS -1×N光スイッチ
MEMS-1×N光スイッチ(以下、MEMS光スイッチ)は、マルチチャンネル光路切替機能を備えたモジュール製品です。MEMS光スイッチ製品は、静電駆動のマイクロミラーソリューションで作られた光スイッチです。小型、高速応答、安定した性能という特徴があり、さまざまな光通信および試験システムで広く使用できます。その光路の概略図は次のとおりです。

適用範囲
光伝送システムにおけるマルチチャネル光モニタリング。
LANマルチ光源/検出器自動切り替え、光センシングマルチポイント動的監視システム。
光テストシステムでは、光ファイバ、光デバイス、光ネットワーク、フィールドエンジニアリング光ケーブルテストに使用されます。
光デバイスの調整。

適用範囲
光伝送システムにおけるマルチチャネル光モニタリング。
LANマルチ光源/検出器自動切り替え、光センシングマルチポイント動的監視システム。
光テストシステムでは、光ファイバ、光デバイス、光ネットワーク、フィールドエンジニアリング光ケーブルテストに使用されます。
光デバイスの調整。
MEMS -1×N光スイッチ
顔立ち
高速スイッチング速度と長寿命
低損失、高信頼性
モジュラー設計、小型
TTLインターフェース、制御が簡単
テクニカル指標
電気的特性
1×N MEMS光スイッチの電気的特性表
注:異なるモジュール間でいくつかの違いがありますので、実際の消費電力を参照してください。
使用説明書
外形図とインストール手順
MEMS光スイッチモジュールの外形寸法は68mm×30mm×13mmです。1×4光スイッチを例にとると、外形寸法を図2に示します(他のモデルはファイバの数のみが異なります)。

MEMS光スイッチモジュールを設置するときは、性能指数に影響を与えないように、光ファイバを過度に曲げないでください(図3を参照)。

ピン定義
注: LVTTL は 3.3V LVTTL です。ストロボ(ピン3)
TTLモードでのみ使用され、D0~D4はハイのときにレベルを変更でき、立ち下がりエッジパルスにより光スイッチが対応するチャネルに切り替わります。
リセット(14ピン)
立ち下がりエッジパルスは光スイッチをリセット状態に切り替わり、光路はチャネル1です。
指示
1)MEMS光スイッチモジュールには制御回路インターフェースがあり、直接コンセントを介して外部制御回路に接続されています。インタフェースピンは表3に示すように定義されています。光スイッチが開始されると、リセット状態に初期化され、光パスはチャネル1になります。
2)光スイッチモジュールの電源をオフにした後、光路を元のチャネルに維持することはできません。
3)MEMS光スイッチモジュールには入出力ファイババンドルがあり、ファイバ直径はφ0.9mmです。入力ファイバー(パブリックファイバー)には0、出力ファイバーにはそれぞれ1、2、3、4でマークされ、4つの対応する出力ファイバーが示されます。
4)MEMS光スイッチモジュール制御モード:TTLパラレルデジタルI / O制御。
LVTTLパラレルデジタルI/O制御
LVTTL制御は、最大32チャネルの5つのLVTTL制御ピン(D0、D1、D2、D3、D4)を備えた光スイッチにのみ使用できます。LVTTL制御ピンとチャネルのレベルの間の対応する関係を表4に示します。使用する場合、LVTTL制御ピンは、光スイッチの実際の光路数に応じて構成する必要があります。
ロジック制御図は以下の通りです。

注意事項とメンテナンス
MEMS光スイッチモジュールの損傷を防ぐため、使用前に次の規則を注意深くお読みください。
1)使用前にアルコール綿を使用してコネクタのファイバー端面を清掃し、ほこりやその他の汚れがファイバー端面を汚染または損傷しないように、使用しないときはダストキャップを着用してください。ファイバ端面の損傷または汚染は、MEMS光スイッチの性能に影響を与えます。
2)光ファイバの損傷を避けるために、光ファイバを引っ張ったり、折りたたんだり、ねじったりすることは固く禁じられています。
3)制御インターフェースの詳細なピン定義については、上記の表3を参照して、配線が正しいことを確認してください。接続が正しいことを確認したら、再度電源を入れます。注:MEMS光スイッチモジュールの動作電圧は定格電圧を超えることはできず、電源とアースを逆にすることはできません。
4)外部回路を変更する必要がある場合は、まず電源を切ってから、モジュールの制御ラインを外してください。
5)MEMS光スイッチモジュールに光信号入力がある場合は、ファイバの端面を直接見ないでください。レーザー放射は目に見えませんが、人間の目に損傷を与える可能性があります!
6)このデバイスは耐火性と耐衝撃性があり、過度に湿度の高い環境での保管や作業は避けてください。
7)この装置は精密光学装置であり、損傷を避けるために許可なく分解しないでください。
8)製品は指定された条件下で使用され、大気、水、土地を汚染しません。パッケージには有害廃棄物は含まれておらず、ユーザーが安全に廃棄できます。
9)製品のメンテナンスで交換された部品およびコンポーネントは、規制に従って廃棄するために、ユニットのメンテナンス担当者が持ち帰るものとします。製品が廃棄または廃棄された場合、ユーザーは環境保護規制に従って廃棄するものとします。
顔立ち
高速スイッチング速度と長寿命
低損失、高信頼性
モジュラー設計、小型
TTLインターフェース、制御が簡単
テクニカル指標
シリアル番号 | パラメーター | 単位 | インデックス | 所見 |
1 | 働く波長 | 海里 | 1250~1700 | |
2 | 試験波長 | 海里 | 1310&1550 | カスタマイズ |
3 | ファイバータイプ | シングル/マルチモード | ||
4 | 通路 | 32 | 2-32チャンネルはカスタマイズすることができます | |
5 | 挿入損失 | デシベル | ≤1.0 | |
6 | リターンロス | デシベル | ≥50 | |
7 | 再現 | デシベル | ≤±0.02 | |
8 | クロストーク | デシベル | ≤-50 | |
9 | 切り替え時間 | さん | ≤15 | |
10 | スイッチの寿命 | 二流 | ≥109 | |
11 | 最大入力光パワー | メートルW | 500 | |
12 | 動作温度 | °C | -5~+75 | |
13 | 保管温度 | °C | -40~+85°C | |
14 | 電力要件 | V | 直流 5V |
電気的特性
1×N MEMS光スイッチの電気的特性表
シリアル番号 | パラメーター | 単位 | 最低限 | 典型的な | 最大 |
1 | 電源電圧 (VCC) | ティッカー | 4.5 | 5 | 5.5 |
2 | デジタルI/Oロジックハイレベル(VIH、VOH) | ティッカー | 2.0 | 3.3 | 3.8 |
3 | デジタル I/O ロジック ローレベル (VIL、VOL) | ティッカー | 0 | 0.5 | 0.8 |
4 | 消費電力(@5.0V) | メートルW | - | - | 600 |
使用説明書
外形図とインストール手順
MEMS光スイッチモジュールの外形寸法は68mm×30mm×13mmです。1×4光スイッチを例にとると、外形寸法を図2に示します(他のモデルはファイバの数のみが異なります)。

MEMS光スイッチモジュールを設置するときは、性能指数に影響を与えないように、光ファイバを過度に曲げないでください(図3を参照)。

ピン定義
暗証番号 | ピン 定義 |
ピンタイプ | レベル | 機能の説明 |
1 | ノースカロライナ州 | / | / | / |
2 | ティッカー | 電源入力 | / | DC + 5V電源の正入力、最大電流120mA |
3 | /ストロボ | で | ティッカー | TTLモード:立ち下がりエッジで有効 |
4 | ティッカー | 電源入力 | 電源グランド | |
5 | D0 | で | ティッカー | TTLモード:データビットD0入力 |
6 | ノースカロライナ州 | / | / | 予約済みインターフェース、電気接続なし |
7 | ノースカロライナ州 | / | / | 予約済みインターフェース、電気接続なし |
8 | ノースカロライナ州 | / | / | 予約済みインターフェース、電気接続なし |
9 | D2 | で | ティッカー | TTLモード:データビットD2入力 |
10 | D4 | で | ティッカー | TTLモード:データビットD4入力 |
11 | ティッカー | 電源入力 | 電源グランド | |
12 | D1 | で | ティッカー | TTLモード:データビットD1入力 |
13 | D3 | で | ティッカー | TTLモード:データビットD2入力 |
14 | /リセット | で | ティッカー | リセット、アクティブロー、パルス幅 ≥ 0.5ms |
注: LVTTL は 3.3V LVTTL です。ストロボ(ピン3)
TTLモードでのみ使用され、D0~D4はハイのときにレベルを変更でき、立ち下がりエッジパルスにより光スイッチが対応するチャネルに切り替わります。
リセット(14ピン)
立ち下がりエッジパルスは光スイッチをリセット状態に切り替わり、光路はチャネル1です。
指示
1)MEMS光スイッチモジュールには制御回路インターフェースがあり、直接コンセントを介して外部制御回路に接続されています。インタフェースピンは表3に示すように定義されています。光スイッチが開始されると、リセット状態に初期化され、光パスはチャネル1になります。
2)光スイッチモジュールの電源をオフにした後、光路を元のチャネルに維持することはできません。
3)MEMS光スイッチモジュールには入出力ファイババンドルがあり、ファイバ直径はφ0.9mmです。入力ファイバー(パブリックファイバー)には0、出力ファイバーにはそれぞれ1、2、3、4でマークされ、4つの対応する出力ファイバーが示されます。
4)MEMS光スイッチモジュール制御モード:TTLパラレルデジタルI / O制御。
LVTTLパラレルデジタルI/O制御
LVTTL制御は、最大32チャネルの5つのLVTTL制御ピン(D0、D1、D2、D3、D4)を備えた光スイッチにのみ使用できます。LVTTL制御ピンとチャネルのレベルの間の対応する関係を表4に示します。使用する場合、LVTTL制御ピンは、光スイッチの実際の光路数に応じて構成する必要があります。
通路 | D4 | D3 | D2 | D1 | D0 |
1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
2 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 |
3 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 |
. . . |
. . . |
. . . |
. . . |
. . . |
. . . |
23 | 1 | 0 | 1 | 1 | 0 |
24 | 1 | 0 | 1 | 1 | 1 |
ロジック制御図は以下の通りです。

注意事項とメンテナンス
MEMS光スイッチモジュールの損傷を防ぐため、使用前に次の規則を注意深くお読みください。
1)使用前にアルコール綿を使用してコネクタのファイバー端面を清掃し、ほこりやその他の汚れがファイバー端面を汚染または損傷しないように、使用しないときはダストキャップを着用してください。ファイバ端面の損傷または汚染は、MEMS光スイッチの性能に影響を与えます。
2)光ファイバの損傷を避けるために、光ファイバを引っ張ったり、折りたたんだり、ねじったりすることは固く禁じられています。
3)制御インターフェースの詳細なピン定義については、上記の表3を参照して、配線が正しいことを確認してください。接続が正しいことを確認したら、再度電源を入れます。注:MEMS光スイッチモジュールの動作電圧は定格電圧を超えることはできず、電源とアースを逆にすることはできません。
4)外部回路を変更する必要がある場合は、まず電源を切ってから、モジュールの制御ラインを外してください。
5)MEMS光スイッチモジュールに光信号入力がある場合は、ファイバの端面を直接見ないでください。レーザー放射は目に見えませんが、人間の目に損傷を与える可能性があります!
6)このデバイスは耐火性と耐衝撃性があり、過度に湿度の高い環境での保管や作業は避けてください。
7)この装置は精密光学装置であり、損傷を避けるために許可なく分解しないでください。
8)製品は指定された条件下で使用され、大気、水、土地を汚染しません。パッケージには有害廃棄物は含まれておらず、ユーザーが安全に廃棄できます。
9)製品のメンテナンスで交換された部品およびコンポーネントは、規制に従って廃棄するために、ユニットのメンテナンス担当者が持ち帰るものとします。製品が廃棄または廃棄された場合、ユーザーは環境保護規制に従って廃棄するものとします。
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